硅能光电取得双发光区域倒装LED芯片封装结构专利，在需求发光亮度较低时具备更好光集中度及更高反射光效

金融界2024年12月28日消息，国家知识产权局信息显示，硅能光电半导体（广州）有限公司取得一项名为“一种双发光区域的倒装LED芯片封装结构”的专利，授权公告号CN 222214208 U，申请日期为2024年1月。

专利摘要显示，本实用新型属于LED光源封装结构，具体涉及一种双发光区域的倒装LED芯片的封装结构，LED芯片的第二发光区域包围中心的第一发光区域，并且第一发光区域和第二发光区域连接不同的电极，同时所述LED芯片封装在反射结构中；在需求发光亮度较低时，可以只点亮第二发光区域，位于中心的第二发光区域具有在反射结构中具有更好的光集中度以及更高的反射光效；在需求发光亮度较高时，同时点亮第一发光区域和第二发光区域，能够提供更高的亮度。

来源：金融界