江西兆驰半导体取得发光二极管芯片专利，提升了芯片出光效果

金融界2024年12月28日消息，国家知识产权局信息显示，江西兆驰半导体有限公司取得一项名为“一种发光二极管芯片”的专利，授权公告号CN 222214202 U，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种发光二极管芯片，包括层叠的衬底、外延层、透明导电层、Cr金属层、电极和钝化层，在外延层上间隔设置透明导电层和Cr金属层，透明导电层上设置P电极位，Cr金属层上设置N电极位，P电极位上设置P电极，N电极位上设置N电极，P电极和N电极均包括高反射层、填充金属层和惰性金属层，高反射层围合形成倒梯形容纳腔，倒梯形容纳腔上开设敞口，填充金属层设置在倒梯形容纳腔内，填充金属层上设置惰性金属层，外延层、透明导电层和Cr金属层上均设置钝化层，将电极设置为倒梯形，电极与外延层接触面积减少，在尽可能减少电流损耗的情况下，提升了芯片出光面积，同时利用高反射层，提高芯片的出光效果。

来源：金融界