泰科天润取得一种低阻平面栅碳化硅MOSFET专利，使得功率器件的导通电阻进一步的降低

金融界2024年12月28日消息，国家知识产权局信息显示，泰科天润半导体科技（北京）有限公司取得一项名为“一种低阻平面栅碳化硅MOSFET”的专利，授权公告号CN 222214181 U，申请日期为2024年3月。

专利摘要显示，本实用新型提供了一种低阻平面栅碳化硅MOSFET，包括：阱区连接碳化硅衬底；隔离介质层连接阱区；体二极管区连接阱区，且体二极管区连接隔离介质层；横向导电通道区连接至隔离介质层以及体二极管区；横向导电通道区上设有源区，源区连接至隔离介质层；纵向导电通道区依次穿过所述横向导电通道区、隔离介质层以及阱区；纵向导电通道区连接至碳化硅衬底；栅介质层连接至横向导电通道区以及源区；源极金属层连接至源区，源极金属层连接体二极管区以及隔离介质层；栅极金属层连接至栅介质层，栅极金属层位于横向导电通道区的正上方，且位于纵向导电通道区的上方为镂空；漏极金属层连接至碳化硅衬底，使得功率器件的导通电阻进一步的降低。

来源：金融界