福建华佳彩取得提高开口率的低寄生电容TFT阵列基板专利，提高TFT阵列基板的开口率

金融界2024年12月28日消息，国家知识产权局信息显示，福建华佳彩有限公司取得一项名为“种提高开口率的低寄生电容TFT阵列基板”的专利，授权公告号CN 222214179 U，申请日期为2023年2月。

专利摘要显示，本实用新型涉及显示器技术领域，提供一种提高开口率的低寄生电容TFT阵列基板，包括：玻璃衬底；第一金属层，形成栅极；第一栅绝缘层，固定设置在栅极与玻璃衬底的上表面；第二金属层，形成间隔分布的导电层与TP走线；第二栅绝缘层，固定设置在TP走线、导电层与第一栅绝缘层的上表面；有源层；第三金属层，形成间隔分布的源极与漏极；钝化层；公共电极，固定设置在钝化层的上表面；介质绝缘层；画素电极，固定设置在介质绝缘层的上表面。本实用新型的优点在于：在不影响对有源层的控制能力的前提下，增大栅极与漏极之间的距离，降低栅极与漏极之间的寄生电容，漏极设置在TP走线的上方，提高TFT阵列基板的开口率。

来源：金融界