浮思特 | 如何选择栅极电阻以优化WBG半导体在电源逆变器中的性能?
如果您正在设计需要卓越电源效率的电子应用，可以考虑使用新型高性能氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)技术。这些新型宽带隙技术在电子开关方面相对于传统硅解决方案具有显著优势。它们具有更小的物理芯片尺寸、优越的热导率和管理能力以及更低的开关损耗，非常适合空间受限的应用，例如工业、医疗、电信和汽车领域的电源、驱动器和逆变器。 然而，必须考虑一些设计权衡，特别是在开关损耗方面。例如，产生的较高的di/dt和dv/dt以及更高的开关速度会放大电路中的频率振荡，使得噪声成为一个关键考虑因素。为减轻这种影响，您必须仔细选...【查看原文】
