华虹半导体申请BCD芯片制造方法和芯片专利，提高芯片性能

金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“BCD芯片制造方法和BCD芯片”的专利，公开号CN 118919493 A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种BCD芯片制造方法和BCD芯片。其中方法包括：提供第一导电类型半导体衬底；向第一导电类型半导体衬底的上表面注入第二导电类型杂质，在第一导电类型半导体衬底上表面的表层中形成第二导电类型埋层；通过掺杂外延生长工艺在第二导电类型埋层上生长形成第一导电类型外延层；制作形成多个深沟槽隔离结构；深沟槽隔离结构之间制作形成BCD器件，制作形成覆盖在BCD器件上的金属互连层；在金属互连层的上表面键合厚硅基板形成厚晶片结构；对第一导电类型半导体衬底的背面进行减薄；在相邻两个深沟槽隔离结构之间的第一导电类型半导体衬底下表层中制作形成EOS防护器件。

来源：金融界